2021, Vol. 30
2. 天津理工大学 学习型智能计算教育部工程研究中心, 天津 300384
2. Engineering Research Center of Learning-Based Intelligent System (Ministry of Education), Tianjin University of Technology, Tianjin 300384, China
随着人工智能[1]的兴起, 社会步入大数据时代, 数据成为密集应用的重要因素, 密集应用能够在短期内产生大量的TB级(250 B)甚至PB级(260 B)数据, 它通过实时的数据处理和及时反馈, 动态调整应用的各个参数, 以此来优化应用性能. 它不仅可以通过分析同维度大量数据获取最佳的数据区间, 而且还能通过分析不同维度数据, 获取潜在的联系[2], 例如沃尔玛的啤酒和纸尿裤摆放位置. 在处理海量的数据方面, 存在CPU处理性能发挥不充分、数据传输带宽制约问题[3], 同时海量数据存储也面临巨大挑战[4]. 在截至22 nm工艺之前, 根据摩尔定律CPU每18个月性能翻一番. 与此同时, 内存的封装管脚数每6年会翻一番[5]. 在大多数应用中, 涉及到内存访问的指令占20%–40%[6]. 因此, CPU与内存之间存在着大量的数据传输. 然而, CPU的执行速度和内存数据传输速度严重的不匹配[7], 难以最大化发挥CPU的性能进而影响计算机的整体性能. 此外, 海量数据不同的存储方式也对访问的性能有着巨大的影响. 目前主流的内存访问方式都是面向行向的. 在特定大规模密集数据应用场景下, 行向数据访问方式已经不能够满足实时数据、快速访问、特定数据高效访问的需求, 同时行向的数据在访问过程中还存在着数据访问效率不高, 存储空间开销大的问题. 因此, 传统的内存访问面临着如下几个方面的挑战. 首先, 传统行方向的内存访问在获取数据的时候, 需要行方向和列方向分别选通. 其次, 在传统行方向的大量数据获取中, 为了匹配CPU的高性能数据都是通过组的形式并行传输的(例如64 bit), 这就导致了很多数据并不是真正需要的数据, 在筛选数据的阶段又会占用CPU 时间影响性能. 最后, 在基于电荷材质组成的内存中, 由于受到摩尔定律的影响, 在单元尺寸已经进入了瓶颈, 无法再进一步的缩小尺寸——单元尺寸越小, 元器件间隙就越小, 产生的能耗越低, 性能越高[8].
近年来, 列的内存访问方式应运而生. 新型存储单元的设计不仅能够实现列方向的内存访问而且还兼容行方向的内存访问, 这使得数据的访问方式更加的完善、高效. 此外, 也可以通过多层的方式来实现行列两种不同内存访问方式. 另外, 不同于电荷单元的电阻式单元也相继出现, 电阻式非易失性存储材料具有非易失、低能耗以及相较于电容式材料能够进一步缩小单元尺寸的特点[9], 这些优秀的性能逐渐受到研究者的关注.
动态随机访问存储器[10]工作原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特是1还是0. 面向行的内存访问方式效率已经非常的低下, 这成为影响内存访问效率的严重问题. 在继承传统的DRAM结构上, 通过设计新的存储单元组成新的存储阵列来实现列向的访问方式. 在基于DRAM的基础结构上设计新的存储单元, 通过添加晶体管元器件使得DRAM不仅能够进行面向行的内存访问而且能够进行面向列的内存访问.
此外, 非易失性随机访问存储器(Non-Volatile random access Memory, NVM)[11]有望可用于取代DRAM构建下一代内存体系存储容器. 尽管在众多材料之中存储单元相差各异, 然而在结构布局上可以有着相同的构建方式, 运用三维空间位置实现同等行向访问的列向访问方式.
内存的列向访问方式是应用于特定的情况下, 针对密集同类型数据的存储、访问、计算有着非常大的优势, 能够实现传统行向访问的数倍性能提升. 本文通过从内存列向访问出发, 详细的阐述了DRAM、NVM两个不同的实现方式以及对应的上层设计, 并对相关应用场景进行了展望.
2 DRAM列向访问研究 2.1 DRAM基础单元在DRAM的存储结构设计中, 如图1所示存储单元是一个1T1C结构[12], 其中T代表晶体管(transistor), C代表电容器(capacitor), 通过电容中电荷量以及感知放大器(Sense Amplifier, SA)可以区分数据的逻辑0和1.
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图 1 1T1C结构示意图 |
2.2 不同的布局
由于传统的DRAM给每个单元安排一维的线性访问方式, 本文称之为面向行的访问. 在传统的DRAM中, 不同的数据布局方式可以有效地提高数据的缓存命中率. 并且可以通过行列转换来实现应用的列向访问模式. 但是当转换矩阵过大时, 性能并不理想[13]. 文献[14]提出可以改变数据组织方式和访问模式, 使得数据获取性能提升了1倍. 另外, 文献[15]提出利用方块布局高效地收集块数据, 并将其运用于图形处理应用之中. 其次, Chatterjee等人[16]提出一种非线性的数据布局, 在该布局下实现了接近行布局方式下的性能[17]. 与此同时, Dahlgren等人[18]研究表明空间位置和访问模式是数据获取的重要因素.
因此, 考虑新的结构布局和空间位置能够有效提升数据的获取性能.
2.3 新型存储单元在1T1C的结构构建的阵列中, 每次获取数据都是以行为单位进行的, 但是一些多维数据分析的应用场景下, 该访问方式存在获取额外无效数据, 额外筛选数据操作的情况.
为此, Chen等人[19]创造性地设计出类似于面向行的数据访问方式, 本文称该为面向列的访问方式. 他们为此设计出了新的存储单元2T1C. 如图2所示, 在访问一个共用电容结构中, 提供了两个不同方向的晶体管. 相比较1T1C而言, 该结构不同的设计在于存储单元上添加了一个用于控制列向访问的列晶体管, 通过控制行列晶体管开关状态, 就可以两种方式进行切换.
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图 2 2T1C结构示意图 |
在该结构下, Yu等人[20]研究表明: 相比较传统的DRAM结构, 在牺牲了2.6%的额外元器件开销代价后, 平均内存利用提升了5.8%、内存访问延迟降低了14.8%、能效消耗降低了4.4%.
根据不同的存储单元, 最后结果对比结果如表1所示.
2.4 新型单元存储阵列如图3中所示, 图3上半部分横向的虚线框中存储单元形成组称之为行, 图3右方纵向的虚线框中存储单元形成组称之为列. 存储单元的晶体管控制的线组成字线, 传输电荷信息线组成比特线.
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表 1 两种不同的DRAM的比较 |
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图 3 2T1C单元存储阵列示意图 |
2.5 DRAM内存访问
在基于2T1C存储单元的内存阵列结构中, 内存访问过程如图4中所示, CPU先向内存控制器发去访存指令, 内存控制器通过请求, 传输的地址信息通过控制信号去进行判断行列访问类别, 然后传输地址信息选中对应的位置通过数据总线进行读写操. 过程如图4所示.
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图 4 内存访问示意图 |
2.6 小结
考虑到行列转换过程中, 尽管可以利用行转换成列方式, 但是数据在转换过程中, 转换矩阵过大会导致转换效率不高, 从而数据访问的效率不佳. 另外, 改变数据的组织方式虽然可以提升数据的访问性能, 但是它结构布局没变, 仅是转换地址信息. 其次, 非线性的布局方式能媲美行布局方式, 有力的说明了非线性布局的有效性, 因此行列布局也是得以研究, 可以考虑不同的布局方式来实现已有的性能或者性能提升. 最后, 行列布局能够从结构出发, 通过两种不同的路径访问同一存储单元, 它不仅在数据获取性能上超过了行布局, 并且能够应用于更多的场景下.
另外, 非易失性材料有着许多材料性能优势, 并且别出新意的结构排布, 使得它有着超越前者的巨大研究潜力.
3 NVM的列向访问研究NVM内存具有非易失、按字节存取、存储密度高、低能耗、读写性能接近DRAM、就地更新等众多优点[21], 得到了学术界和工业界的广泛研究[22]. 大量的非易失性的存储器如雨后春笋一般出现, 如电阻式随机存储器(ReRAM)[23]、自旋转移力矩磁随机存取存储器(STT-MRAM)[24]和相变内存(PCM)[25]以及忆阻器(memristor)[26]等.
NVM具有的优良特性已经应用于很多领域, 包括数据库方面[27]和科学应用[28]等.
另外, 文献[29]通过研究NVM构建异构内存系统, 并且对其异构内存的页面管理进行研究以解决数据迁移的问题. 通过内存分配策略, 实现多维场景的优化. 此外, 文献[30]针对NVM 的寿命研究, 提出里内存压缩策略, 尽量减少数据量, 降低写入磨损, 并且通过研究数据放置策略, 提出基于轮转的磨损均衡机制, 均匀使用资源, 延长寿命. 另外, 文献[31]提出的混合内存存储模型除了拥有ReRAM的优秀特性之外还有着不错的读写性能. 最后, ReRAM优秀的特点不仅可以运用于构建行存储结构, 同样也可以运用构建与行列存储结构之中.
3.1 ReRAM存储单元ReRAM的读取延迟性能可以与DRAM相当, 并且通过优化可以将DRAM和ReRAM之间的性能桥接在10%以内, 被认为是构建下一代主存储器的替代方案[32]. 因此, 本文选择ReRAM来进行说明, 以下使用NVM对ReRAM统称.
图5展示了ReRAM单元[33-35]的金属绝缘体金属结构: 上电极、下电极和夹在它们之间的金属氧化物层[36]. 通过施加外部电压, ReRAM单元可以在高阻状态(High Resistance State, HRS)和低电阻状态(Low Resistance State, LRS)之间切换, 这两个状态分别用来表示逻辑0和1[37].
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图 5 ReRAM存储单元示意图 |
3.2 交叉点结构
图6显示了由0T1R结构存储单元组成的阵列, 其中T代表晶体管, R代表电阻器(resistor)[38, 39]. 直接通过上端和下端的电极连接上字线和比特线, 不仅使存储单元的特征尺寸最小化, 而且还具有良好的对称性, 称为交叉点结构(crossbar)[40-42].
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图 6 交叉点结构示意图 |
图7是该结构的放大图[43], 在交叉点结构中存储单元仅是一个可以改阻值的电阻器, 并且这个交叉点阵列是由众多的字线和比特线交叉组成的, 每个存储单元位于字线和比特线的交点处属于一个三维的空间. 从结构访问上看, 由于行和列严格对称结构, 所以在面向行和面向列的访问上有着得天独厚的结构优势.
3.3 NVM内存访问NVM的内存访问和DRAM 类似, 由于Crossbar结构, 只需要获取对应的访问指令, 通过相对应的控制指令去执行行列访问的不同的操作.
然而, 在上述的交叉点结构中, 会产生一个干扰问题, 即潜入路径电流, 它会引起相邻存储单元间的串扰干扰, 从而导致误读, 进而严重影响交叉点阵列的工作. 若能解决潜入路径电流问题, 将会大大降低阵列的功耗, 提高它的可靠性和稳定性.
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图 7 交叉点结构放大图 |
3.4 2D-NVM行列访问
为了解决潜入路径电流的问题, Chen等人[44]提出了一种基于ReRAM的多层内存架构, 该架构是由两层ReRAM存储单元和两个控制晶体管组成, 可以实现行列的2D阵列的访问. 如图8所示, M1和M2存储单元, N1和N2是两个控制晶体管. N1控制行访问模式连接iRB和iRW, N2控制列访问模式连接iCW和iCB. 通过测试结果显示: 提出的设计结构上相对于交叉点结构提高了5倍左右的带宽, 降低了1.4倍左右的能耗.
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图 8 存储单元结构示意图 |
3.5 小结
在非易失性存储中, 实现行列访问的方式不同, 表2中对两种不同的NVM进行了对比.
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表 2 NVM的对比 |
表3显示了从物理设计结构上DRAM和NVM在实现列向访问的不同设计以及相关的不同特点, 并进行了比较和总结.
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表 3 行列访问实现的比较 |
考虑到上述的结构特点, 尽管在NVM有着潜在电流的问题, 但是2D-NVM添加一倍的器件成本使得在更通用的场景下不是最好的折中选择, 使得基于Crossbar的NVM会是研究未来行列访问的最好选择.
通过添加或者修改物理结构之后, 欲实现有效的行列访问还需要与其相对应的控制器设计、配套指令集、相应地址映射方式.
4 上层设计由于DRAM的控制协议已经非常成熟了, 而DRAM的控制协议不能够直接用于NVM之上. 考虑到DRAM和ReRAM行列不兼容、读写刷新与否的技术特性存在的问题, Talati等人[45]提出了ReRAM访问协议R-DDR, 该协议的特点是通过列向访问模式, 闭页策略(closed-page polices). 并且通过测试ReRAM内存系统与使用DDR4在SPEC CPU2006工作负载访问下进行比较, 结果表明: 该系统的性能提高了35%, 能耗降低了7%.
在DRAM 中针对内存访问拥有两个不同的访问指令, load和store. 然而, 为了更好的使用硬件资源, 需要设计对应的列向访问的访问指令Cstore和Cload[46]:
| $\begin{split} & {\rm{Cload\;\; reg, caddr}};\\ & {\rm{Cstore\;\; reg, caddr}}; \end{split}$ |
reg是目标寄存器, caddr是面向列的数据地址. Cload和load指令类似, Cstore和store指令类似, 通过这两个新添加指令来配合内存控制器进行行列访问类型判断, 并且和存在的load/store指令搭配一起使用.
另外, 为了与行向访问区分开来, 需要对列向访设计地址映射. 图9显示了面向行的32位地址结构, 图10显示了面向列的32位地址结构. 单位是bit, Rank是2个单位, Subarray是3个单位, Bank是3个单位, Channel是1个单位, Row和Column都是10个单位, IntraBus是3个单位. 行地址结构和列的地址结构基本类似, 唯一不同的点在于, 两者之间Row和Column顺序不同, 就由此来进行区分两种不同的地址.
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图 9 行地址映射 |
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图 10 列地址映射 |
5 总结与展望
本文从内存访问方式的角度进行研究, 分析了传统行向访问过程中存在的特定场景性能不足的问题, 为了满足特定的性能需求拓展新的列向内存访问方式, 具体总结如下:
在DRAM设计中, 由于存储单元上添加了一个列向的晶体管, 使得存储单元可以列向数据访问. 但是, 添加晶体管导致存储单元的尺寸变大, 不仅增加了格外的开销, 还会限制了性能进一步的提升. 考虑到DRAM需要定时刷新, 两个晶体管共同访问同一个电容器, 因此, 刷新次数也会相应的增加, 同时会增加刷新能耗.
在NVM设计中, 基于Crossbar的三维叠加结构, 使得行列访问方式可以得到统一. 得益于这个结构, 非易失性材料能够满足存储单元尺寸的更小化, 同时还能降低访问的能耗. 但是, 这种结构需要严格的对称性, 访问还会对邻居单元的造成干扰. 因此, 2D-NVM的设计就是在降低了存储单元之间干扰的基础上, 添加了多层的结构区分数据访问的不同方式. 然而, 尽管2D-NVM的设计解决了上述问题, 但是带来的是更加复杂的存储单元和更大单元开销和能耗.
针对列向访问的应用场景, 可在以下4个方面进一步丰富其应用:
(1)根据内存计算[47]概念, 结合内存数据库(In-Memory DataBase, IMDB)[27]的应用, 使用列向访问方式获取列向数据库[48]的列向数据, 可以很方便获取所需的特定数据, 还能够同时对不同列的数据可以聚合和分类[49].
(2)当列向访问应用于大数据的挖掘[50]中, 考虑到存储的数据基于相同的数据类型或者数据结构, 同类型数据的获取将会更加的高效, 并且对于数据之间的关系分析, 将会更加的准确.
(3)当行列访问应用于数据加密算法[51]中, 考虑到加密算法需要对已有数据进行大量的数学运算, 其中计算较多的是矩阵相乘, 通过列向访问可以快速的获取矩阵中存储的一行或者一列数据, 然后进行大量的矩阵相乘运算得到最终的结果. 列向的访问不仅能够缩短数据获取的时间, 还能提高加密算法的时效性.
(4)当列向访问结合实时微体系结构[52]应用于实时处理时, 通过列向访问数据并对数据进行快速处理, 能够给予其更加快速的实时反馈, 例如存储汽车行驶中的各项参数, 通过数据实时计算能够快速调整无人驾驶汽车的速度或方向.
当前, 传统的行向访问的内存获取方式应用于通用的场景. 然而, 内存的列向访问是针对某种特定的场景设计的优化数据获取方式, 尤其是密集数据的存储. 由于数据行列访问方式在一个具体的应用中有着较大的性能差距, 所以列向访问会极大的提升特定应用场景下的访问效率. 因此, 后续会对内存数据库的数据存储和访问性能提升进行深入的研究.
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